جهت دسترسی به کاربرگه ی زیر، از این لینک استفاده کنید. http://dl.pgu.ac.ir/handle/Hannan/161081
Title: بررسی بازگشت‌پذیری یک قرص مغناطیسی در قیاس نانو در حضور ناکاملی
Authors: طاهره خیاط
Keywords: بازگشت ‌پذیری مغناطیسی، قرص مغناطیسی، حالت گردابی
Issue Date: 1392
Abstract: در این تحقیق، تاثیر تعداد و نحوهی قرار گیری انواع ناکاملی‌ها از جمله: مثلتی،مربعی و دایره‌ای بر روس سازوکار بازگشت مغناطش و انرژی وامغناطیدگی یک نانو ذره‌ی مغناطیسی از جنس پرمالوی به وسیله‌ی نرم افزار OOMMF صورت می‌گیرد. فرآیند‌های تغییر و بازگشت مغناطش یک نانو نقطه‌ی مغناطیسی به طرز قرار گیری و موقعیت ناکاملی‌ها وابسته است. فرآیند بازگشت مغناطش با وارد شدن ناکاملی، به خلق و نابودی هسته گذاری حالت گردابی درون قرص مغناطیسی دیرتر اتفاق می‌افتد و قرص تمایل دارد که مدت زمان بیشتری در حالت اشباع قرار گیرد. نشان داده می‌شود که تغییرات در میدان هسته‌گذاری و وادارندگی به علت رقابت بین انرژی وامغناطیدگی و تبادل است که می‌توان این تغییرات را از نمودار انرژی وامغناطیدگی استخراج کرد. قرص مغناطیسی در حضور ناکاملی دایره‌ای در اکثر فاصله‌ها، نسبت به ناکاملی مربعی و مثلتی در همان فاصله، میدان وادارندگی بزرگ‌تری را به خود اختصاص می‌دهد.
Description: پایان‌نامه کارشناسی ارشد در رشته فیزیک
URI: http://dl.pgu.ac.ir/handle/Hannan/161081
Type Of Material: پایان نامه فارسی
Appears in Collections:Physics فیزیک

Files in This Item:
File SizeFormat 
پ833.pdf5.15 MBAdobe PDFDownload    Request a copy


تمامی کاربرگه ها در کتابخانه ی دیجیتال حنان به صورت کامل محافظت می شوند.